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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 104W; PG-TO262-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IPI60R250CPAKSA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPI60R250CPAKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: PG-TO262-3
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 12A
Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 104W
Polarisierung: unipolar
Technologie: CoolMOS™ CP
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, mosfet, mosfet 600v
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