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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IPI65R099C6XKSA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPI65R099C6XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: PG-TO262-3
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 38A
Widerstand im Leitungszustand: 99mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 278W
Polarisierung: unipolar
Einheitspreis: Nein
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: CoolMOS™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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