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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20,2A; 151W; PG-VSON-4


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20,2A; 151W; PG-VSON-4
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20,2A; 151W; PG-VSON-4
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IPL65R190E6AUMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPL65R190E6AUMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungsfaktorkorrektur
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-VSON-4
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 20,2A
Widerstand im Leitungszustand: 0,19Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 151W
Polarisierung: unipolar
Technologie: CoolMOS™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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