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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3,1A; 28W; IPAK SL


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3,1A; 28W; IPAK SL
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3,1A; 28W; IPAK SL
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IPS65R1K5CEAKMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPS65R1K5CEAKMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: IPAK SL
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 3,1A
Widerstand im Leitungszustand: 1,5Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 28W
Polarisierung: unipolar
Technologie: CoolMOS™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, mosfet, mosfet 650v
Die Konditionen im Überblick1
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