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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IPW60R080P7
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPW60R080P7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: PG-TO247-3
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 23A
Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 129W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Technologie: CoolMOS™ P7
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, mosfet, mosfet 600v
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