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IC: driver; high-side,Steuerung für Gates; SO8; -420÷200mA; 625mW


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Produktinformationen
IC: driver; high-side,Steuerung für Gates; SO8; -420÷200mA; 625mW
IC: driver; high-side,Steuerung für Gates; SO8; -420÷200mA; 625mW
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IR2127SPBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IR2127SPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
OR-Gate
OR-Gatter
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Betriebstemperatur: -40...125°C
Gehäuse: SO8
Leistung: 625mW
Versorgungsspannung: 10...20V DC
Anschaltzeit: 0,2µs
Ausschaltzeit: 150ns
Ausgangsstrom: -420...200mA
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Anzahl Kanäle: 1
Verpackungs-Art: Tube
Integrierten Schaltkreises-Art: high-side;Steuerung für Gates
Spannungsklasse: 600V
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