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Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -1,7A; 1,25W; SO8


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -1,7A; 1,25W; SO8
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -1,7A; 1,25W; SO8
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IRF7506TRPBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF7506TRPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
leistungs-mosfet
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: -30V
Drainstrom: -1,7A
Transistor-Typ: P-MOSFET x2
Verlustleistung: 1,25W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Rolle
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Die Konditionen im Überblick1
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.