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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5,4A; 167W; TO220AB


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5,4A; 167W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5,4A; 167W; TO220AB
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IRFB9N65APBF
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFB9N65APBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 5,4A
Widerstand im Leitungszustand: 930mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 167W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 48nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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