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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 2,4A; Idm: 19A; 1W; HVMDIP


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-IRFD020PBF
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFD020PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: HVMDIP
Drain-Source Spannung: 50V
Drainstrom: 2,4A
Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 24nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 19A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, leistungs-mosfet
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