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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2,7W; PQFN3.3X3.3

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2,7W; PQFN3.3X3.3

Artikel-Nr.:
8WUGW-IRFHM830TRPBF

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IRFHM830TRPBF

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Diode
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PQFN3.3X3.3
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 21A
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,7W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Rolle
Einheitspreis: Nein
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark

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Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, smd transistor

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