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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 119W; DPAK


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Produktinformationen:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 119W; DPAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 119W; DPAK
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IRFR825TRPBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFR825TRPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 6A
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 119W
Polarisierung: unipolar
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
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