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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 301A; 375W; TO262


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 301A; 375W; TO262
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 301A; 375W; TO262
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IRFSL7430PBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFSL7430PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO262
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 301A
Widerstand im Leitungszustand: 1,2mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 375W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 300nC
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.