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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB

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Produktinformationen:

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB

Artikel-Nr.:
8WUGW-IRLB8314PBF

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IRLB8314PBF

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 120A
Widerstand im Leitungszustand: 2,4mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Einheitspreis: Nein
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 664A

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Weitere Suchbegriffe: Transistor, leistungs-mosfet

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