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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8,5A; 2,1W; PQFN2X2


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8,5A; 2,1W; PQFN2X2
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8,5A; 2,1W; PQFN2X2
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IRLHS6342TRPBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFHM6342TR2PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PQFN2X2
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 8,5A
Widerstand im Leitungszustand: 15,5mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,1W
Polarisierung: unipolar
Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
Gate-Ladung: 11nC
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±12V
Die Konditionen im Überblick1
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ab € 793,28*
  
Preis gilt ab 500 Packungen
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.