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IC: driver; MOSFET Halbbrücke; SO8; -600÷290mA; 625mW; Ch: 2; 200V


Menge:  Stück  
Produktinformationen
IC: driver; MOSFET Halbbrücke; SO8; -600÷290mA; 625mW; Ch: 2; 200V
IC: driver; MOSFET Halbbrücke; SO8; -600÷290mA; 625mW; Ch: 2; 200V
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IRS2003SPBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRS2003SPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Betriebstemperatur: -40...125°C
Gehäuse: SO8
Leistung: 625mW
Versorgungsspannung: 10...20V DC
Anschaltzeit: 750ns
Ausschaltzeit: 180ns
Ausgangsstrom: -600...290mA
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Anzahl Kanäle: 2
Verpackungs-Art: Tube
Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side;Steuerung für Gates
Topologie: MOSFET Halbbrücke
Spannungsklasse: 200V
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