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IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; DIP14; -2÷2A; Ch: 2


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Produktinformationen
IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; DIP14; -2÷2A; Ch: 2
IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; DIP14; -2÷2A; Ch: 2
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IX2113G
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IX2113G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
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Hersteller: IXYS
Montage: THT
Betriebstemperatur: -40...125°C
Gehäuse: DIP14
Versorgungsspannung: 10...20V
Ausgangsstrom: -2...2A
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Anzahl Kanäle: 2
Eigenschafte integrierter Schaltkreise: UVLO (UnderVoltage LockOut);Anpassung der Ausbreitungsverzögerungen: 20 ns;Kompatibilität mit der Logik von Spannungen, die im 3,3-V-Standard arbeiten;tolerant to negative voltage transient: du/dt immune
Verpackungs-Art: Tube
Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side;Steuerung für Gates
Topologie: IGBT Halbbrücke;MOSFET Halbbrücke
Spannungsklasse: 600V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, ixys igbt, igbt
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.