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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO247-3


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO247-3
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO247-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXBH10N170
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXBH10N170
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,7kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 10A
Kollektorstrom im Impuls: 40A
Anschaltzeit: 63ns
Ausschaltzeit: 1,8µs
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 140W
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung
Gate-Ladung: 30nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: BiMOSFET™
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