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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 75A; 1,04kW; TO264


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 75A; 1,04kW; TO264
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 75A; 1,04kW; TO264
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXBK75N170
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXBK75N170
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO264
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,7kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 75A
Kollektorstrom im Impuls: 580A
Anschaltzeit: 277ns
Ausschaltzeit: 840ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 1,04kW
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung
Gate-Ladung: 0,35µC
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: BiMOSFET™
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