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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXBT42N300HV
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXBT42N300HV
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO268HV
Kollektor-Emitter-Spannung: 3kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 42A
Kollektorstrom im Impuls: 400A
Anschaltzeit: 652ns
Ausschaltzeit: 950ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 500W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung
Gate-Ladung: 200nC
Technologie: BiMOSFET™
Weitere Suchbegriffe: ixys igbt, smd transistor
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