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Modul; einzelner Transistor; 600V; 66A; SOT227B; schraubbar; 960W


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Produktinformationen
Modul; einzelner Transistor; 600V; 66A; SOT227B; schraubbar; 960W
Modul; einzelner Transistor; 600V; 66A; SOT227B; schraubbar; 960W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXFN80N60P3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFN80N60P3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Bereitschaftszeit: 250ns
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 66A
Widerstand im Leitungszustand: 77mΩ
Verlustleistung: 960W
Polarisierung: unipolar
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Gate-Ladung: 0,19µC
Technologie: HiPerFET™;Polar3™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±40V
Drainstrom im Impuls: 200A
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