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Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO220AB
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXFP7N100P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFP7N100P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Bereitschaftszeit: 300ns
Drain-Source Spannung: 1kV
Drainstrom: 7A
Widerstand im Leitungszustand: 1,9Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 300W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 47nC
Technologie: HiPerFET™;Polar™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, mosfet to-220ab
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