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Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 120A; 830W; TO264


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 120A; 830W; TO264
Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 120A; 830W; TO264
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXGK120N120A3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXGK120N120A3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
ixys igbt
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO264
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 120A
Kollektorstrom im Impuls: 600A
Anschaltzeit: 105ns
Ausschaltzeit: 1365ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 830W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 420nC
Technologie: GenX3™;PT
Weitere Suchbegriffe: igbt
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