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Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 200A; 1kW; TO264


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 200A; 1kW; TO264
Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 200A; 1kW; TO264
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXGK400N30A3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXGK400N30A3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
ixys igbt
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO264
Kollektor-Emitter-Spannung: 300V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 200A
Kollektorstrom im Impuls: 1,2kA
Anschaltzeit: 0,1µs
Ausschaltzeit: 565ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 1kW
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 560nC
Technologie: GenX3™;PT
Weitere Suchbegriffe: igbt
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