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Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO247-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXTH26P20P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTH26P20P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Bereitschaftszeit: 240ns
Drain-Source Spannung: -200V
Drainstrom: -26A
Widerstand im Leitungszustand: 0,17Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 300W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 56nC
Technologie: PolarP™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Die Konditionen im Überblick1
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