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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1,6A; 100W; TO220AB; 11ns


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1,6A; 100W; TO220AB; 11ns
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1,6A; 100W; TO220AB; 11ns
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXTP1R6N100D2
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTP1R6N100D2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Bereitschaftszeit: 11ns
Drain-Source Spannung: 1kV
Drainstrom: 1,6A
Widerstand im Leitungszustand: 10Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 100W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 645nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Kanal-Art: schwach
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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