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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXTP60N10T
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTP60N10T
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Bereitschaftszeit: 59ns
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 60A
Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 176W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Eigenschaften von Halbleiterelementen: thrench gate power mosfet
Gate-Ladung: 49nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Kanal-Art: stark
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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