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Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO3P


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO3P
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO3P
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXTQ10P50P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTQ10P50P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 500v
mosfet
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO3P
Bereitschaftszeit: 414ns
Drain-Source Spannung: -500V
Drainstrom: -10A
Widerstand im Leitungszustand: 1Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 300W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 50nC
Technologie: PolarP™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet
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