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Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -57A; 190W; 144ns
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXTR90P10P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTR90P10P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: ISOPLUS247™
Bereitschaftszeit: 144ns
Drain-Source Spannung: -100V
Drainstrom: -57A
Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 190W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 0,12µC
Technologie: PolarP™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: mosfet 100v
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