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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXTX210P10T
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTX210P10T
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: PLUS247™
Bereitschaftszeit: 200ns
Drain-Source Spannung: -100V
Drainstrom: -210A
Widerstand im Leitungszustand: 7,5mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 1,04kW
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 740nC
Technologie: TrenchP™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±15V
Weitere Suchbegriffe: mosfet 100v
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