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Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; 480ns


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; 480ns
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; 480ns
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXTX32P60P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTX32P60P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 600v
mosfet
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: PLUS247™
Bereitschaftszeit: 480ns
Drain-Source Spannung: -600V
Drainstrom: -32A
Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 890W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 196nC
Technologie: PolarP™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet
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