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IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; SO8; -500÷250mA


Menge:  Stück  
Produktinformationen
IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; SO8; -500÷250mA
IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; SO8; -500÷250mA
Artikel-Nr.:
     8WUGW-NCP5109BDR2G
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NCP5109BDR2G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Betriebstemperatur: -40...125°C
Gehäuse: SO8
Versorgungsspannung: 10...20V DC
Ausgangsstrom: -500...250mA
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Impulsanstiegszeit: 160ns
Impulsabfallzeit: 75ns
Integrierten Schaltkreises-Art: high-side;low-side;Steuerung für Gates
Topologie: IGBT Halbbrücke;MOSFET Halbbrücke
Spannungsklasse: 200V
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.