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IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; SO8; -2,2÷1,4A


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Produktinformationen
IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; SO8; -2,2÷1,4A
IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; SO8; -2,2÷1,4A
Artikel-Nr.:
     8WUGW-NCP5181DR2G
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NCP5181DR2G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
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Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Betriebstemperatur: -40...125°C
Gehäuse: SO8
Versorgungsspannung: 10...20V DC
Ausgangsstrom: -2,2...1,4A
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Impulsanstiegszeit: 60ns
Impulsabfallzeit: 40ns
Anzahl Kanäle: 2
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Sicherung: Unterspannung UVP
Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side;Steuerung für Gates
Topologie: IGBT Halbbrücke;MOSFET Halbbrücke
Spannungsklasse: 600V
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.