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Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W
Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-P8B10SB-5071
Hersteller:
     SHINDENGEN
Herst.-Nr.:
     P8B10SB-5071
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: SHINDENGEN
Montage: SMD
Gehäuse: FB (TO252AA)
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 8A
Widerstand im Leitungszustand: 94mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 20W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 16,5nC
Technologie: EETMOS3
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 24A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet 100v, smd transistor
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