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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 209A; Idm: 1181A; 194W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-PSMN1R2-30YLDX
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN1R2-30YLDX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: PowerSO8;SOT1023;LFPAK56E
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 209A
Widerstand im Leitungszustand: 2,05mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 194W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
Gate-Ladung: 68nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Kanal-Art: stark
Drainstrom im Impuls: 1181A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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