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Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 121A; Idm: 682A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-PSMN2R5-40YLDX
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN2R5-40YLDX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 121A
Widerstand im Leitungszustand: 6,4mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 147W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 78nC
Technologie: NextPowerS3
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 682A
Die Konditionen im Überblick1
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