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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-PSMN4R0-40YS.115
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN4R0-40YS,115
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 83A
Widerstand im Leitungszustand: 8mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 106W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 38nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 472A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet 100a, smd transistor
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