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Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 2A

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET + Schottky; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 2A

Artikel-Nr.:
8WUGW-QS5U16TR

Hersteller:
ROHM Semiconductor

Herst.-Nr.:
QS5U16TR

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: TSOT25
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 0,5A
Widerstand im Leitungszustand: 154mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky
Verlustleistung: 1,25W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 2,8nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±12V
Drainstrom im Impuls: 2A

... > FET-Transistoren > N-Kanal-Transistoren > N-Kanal-Transistoren SMD

Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet 2a, smd transistor, rohm mosfet

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