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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 20A; 20W; DPAK,TO252


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-RD3P100SNFRATL
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RD3P100SNFRATL
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK;TO252
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 10A
Widerstand im Leitungszustand: 147mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 20W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 18nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 20A
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