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Transistor: IGBT; 650V; 50A; 163W; TO247-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-RGS00TS65DHRC11
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RGS00TS65DHRC11
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±30V
Kollektor-Emitter-Strom: 50A
Kollektorstrom im Impuls: 150A
Anschaltzeit: 70ns
Ausschaltzeit: 292ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 163W
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 58nC
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