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Transistor: IGBT; 1,2kV; 40A; 277W; TO247-3


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-RGS80TSX2DHRC11
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RGS80TSX2DHRC11
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV
Gate - Emitter Spannung: ±30V
Kollektor-Emitter-Strom: 40A
Kollektorstrom im Impuls: 120A
Anschaltzeit: 89ns
Ausschaltzeit: 629ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 277W
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 104nC
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