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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-RQ5C060BCTCL
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RQ5C060BCTCL
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: TSMT3
Drain-Source Spannung: -20V
Drainstrom: -6A
Widerstand im Leitungszustand: 51mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 19,2nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: -18A
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