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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1,5A; Idm: -6A; 1,25W; TSMT6
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8WUGW-RSQ015P10HZGTR
Hersteller:
ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
RSQ015P10HZGTR
EAN/GTIN:
k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet
Hersteller:
ROHM SEMICONDUCTOR
Montage:
SMD
Gehäuse:
TSMT6
Drain-Source Spannung:
-100V
Drainstrom:
-1,5A
Widerstand im Leitungszustand:
0,54Ω
Transistor-Typ:
P-MOSFET
Verlustleistung:
1,25W
Polarisierung:
unipolar
Verpackungs-Art:
Band;Rolle
Gate-Ladung:
17nC
Kanal-Art:
stark
Gate-Source Spannung:
±20V
Drainstrom im Impuls:
-6A
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P-Kanal-Transistoren SMD
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