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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1,5A; Idm: -6A; 1,25W; TSMT6

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Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8WUGW-RSQ015P10HZGTR

Hersteller:
ROHM Semiconductor

Herst.-Nr.:
RSQ015P10HZGTR

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: TSMT6
Drain-Source Spannung: -100V
Drainstrom: -1,5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,54Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 1,25W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 17nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -6A

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