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Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 9/-8,5A; Idm: 18A; 3W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SH8MA4TB1
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     SH8MA4TB1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: SOP8
Drain-Source Spannung: 30/-30V
Drainstrom: 9/-8,5A
Widerstand im Leitungszustand: 32,5/41,3mΩ
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Verlustleistung: 3W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 15,5/19,6nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 18A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, rohm mosfet, smd transistor
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