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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SI1013CX-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI1013CX-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SC89
Drain-Source Spannung: -20V
Drainstrom: -450mA
Widerstand im Leitungszustand: 1,5Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 0,19W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 2,5nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: -1,5A
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