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Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -6A; Idm: -20A; 1,1W


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -6A; Idm: -20A; 1,1W
Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -6A; Idm: -20A; 1,1W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SI2333-TP
Hersteller:
     Micro Commercial Components
Herst.-Nr.:
     SI2333-TP
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: -12V
Drainstrom: -6A
Widerstand im Leitungszustand: 0,15Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 1,1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 14nC
Technologie: Trench
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: -20A
Die Konditionen im Überblick1
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