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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4,3A; Idm: 20A


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SI2356DS-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2356DS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 4,3A
Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,7W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 13nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±12V
Drainstrom im Impuls: 20A
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