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Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 4,5/-2,7A; 2,3/2,7W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 4,5/-2,7A; 2,3/2,7W
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 4,5/-2,7A; 2,3/2,7W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SI4590DY-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI4590DY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 100/-100V
Drainstrom: 4,5/-2,7A
Widerstand im Leitungszustand: 57/183mΩ
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Verlustleistung: 2,3/2,7W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 4/11,6nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor
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