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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 30A; Idm: 60A


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIAA40DJ-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIAA40DJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 30A
Widerstand im Leitungszustand: 16mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 19,2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 24nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Drainstrom im Impuls: 60A
Die Konditionen im Überblick1
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ab € 1 370,01*
  
Preis gilt ab 500 Packungen
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ab 500 Packungen
€ 1 370,01*
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.