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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 153A; Idm: 300A
Menge:
Packung
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
8WUGW-SIDR5802EP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
Herst.-Nr.:
SIDR5802EP-T1-RE3
EAN/GTIN:
k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller:
VISHAY
Montage:
SMD
Drain-Source Spannung:
80V
Drainstrom:
153A
Widerstand im Leitungszustand:
4mΩ
Transistor-Typ:
N-MOSFET
Verlustleistung:
150W
Polarisierung:
unipolar
Verpackungs-Art:
Band;Rolle
Gate-Ladung:
60nC
Technologie:
TrenchFET®
Kanal-Art:
stark
Gate-Source Spannung:
±20V
Drainstrom im Impuls:
300A
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Weitere Suchbegriffe:
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,
mosfet vishay
,
smd transistor
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