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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 63A; 35W; TO220FP


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIHF23N60E-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHF23N60E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: TO220FP
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 15A
Widerstand im Leitungszustand: 158mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 35W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 95nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 63A
Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, mosfet 600v
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